耐電(diàn)壓（TV）

兩引線間(jiān)

無擊穿或飛(fēi)弧

兩引線間(jiān)施加50/60H  Y1：4000VAC/ 60‌®秒(miǎo) Y2：2500VAC/60秒(miǎo);最§®→大(dà)洩露電(diàn)流50 mA

引線與外(wài)表

 将電(diàn)容器(qì)‍•®的(de)兩條引線連接在一(yī)起，本體(tǐ)部分(fēn)插入裝有(yǒ£♦✔ u)小(xiǎo)金(jīn)屬球容器(↕←δ✔qì)內(nèi)（金(jīn)屬球與引線間(jiān)的(de)∏‍σ距離(lí)不(bù)小(xiǎo)于1.5mm）,在金(jīn)屬球與引線之✘£≈間(jiān)施加50/60Hz （Y1：4000VAC/60秒(miǎo)；>σ♠Y2：2500VAC/60秒(miǎo)）

絕緣阻抗（I.R.））

≥10000MΩ

将電(diàn)容器(qì)兩引線間(jiān)施加500VD，✘•©充電(diàn)時(shí)間(jiān)60±5秒(miǎo)≠¥

靜(jìng)電(diàn)容量和(hé)誤差
     （CA±★P&Tolerance）

規定的(de)容量和(hé)誤差範圍內(nèi)

測試頻(pín)率:1±0.2KHz  &nbσ✘•£sp;測試電(diàn)壓： 1.0±0.2    Vδ÷rms （20±2℃）

損耗角正切(tgδ)

≤250×10-4

測試條件(jiàn)與靜(jìng)電(©Ωdiàn)容量相(xiàng)同

Withstand    Voltag♠♦€e(TV)

Between    Terminals

Should be   &nbs'Ωp;no remarkable and abnormality

Apply    Y1:4000V®​∏ AC;Y2:2500VAC/60sec ;charge/dis±↑✔charge current should not e‌≠'xceed 50A

Between    Terminial‌‌☆₩s and Encloser

Insert the    capacitor bodβ ∑↕y filled with a diameter of " ↓$1 mm metal ball in the container,but &n€δγbsp;  keep away from t☆"he end of 2mm ontology is not in¥•↓→serted;Test voltage applied &n∞÷bsp;  between the short  £βcircuit loop terminal and a me&δ tal ball

Insulation
       ¶©Ω;       ∞★  Resistance(I.R.)

≥10000MΩ

Applied    5OOVDC between "₹two terminals ,durat"✔≤≤ion:5 second

Capacitance
(C)&    Tolerance

W it hi n the &← nbsp;  specified toler‌↕✔ance

Measuring    Freque<∞ε¥ncy:1±0.2KHz
Measuring   &nb←©₩sp;voltage： 1.0±0.2 &n™€©αbsp;  Vrms （20±2℃）

Dissipation Factor   &n←÷±€bsp;(DF)

≤250×10-4

Method    same with Capacita≤∑nce

引線引出端強度

拉力

符合電(diàn)性能(néng)規定，引線無斷裂或松≤≈落
      &n↓₹™bsp;        

将電(diàn)容器(qì)其中一(yī)根‌←引線于徑向方向施加下(xià)列荷重（參照(zhào≥Ω)IEC-68-2-20）:荷重1K g;時(s §δhí)間(jiān)10±1.0秒(miǎo><‌×)

彎曲

将電(diàn)容器(qì)其中一(yī)根引線于徑向方向β₽施加0.5K g荷重施加兩個(gè)循環; 每個(gè)循環引線于兩端子‍±(zǐ)間(jiān)彎曲90º，複位2～3秒(miǎo)；然後向相(xi♠≈↓λàng)反方向彎曲90º複位

Terminal  strengt₹↕™∑h

Tensile

Should satisy electrical    c↓α∑•haracteristics;the terminals  ₽should be not break or loos‍↑®€e

Apply one lead the &nβγ$<bsp;  specified strength(Refer to'λ IEC-68-2-20):Load 1Kg; Duratio$±n:10±1.0Sec

Bending

Apply    one lead >↔•¥the 0.5Kg for two cyc≈↔>♦les;Each cycle  &nbs∞  p;  includes:90º once,Retπ♦✘urn to its initial position↓© for 2～3 Sec,and then to th®$e opposite direction &n•​bsp;  once

可(kě)焊性

外(wài)觀

均勻覆蓋引線浸入部分(fēn)95%以上(shàng)

焊錫溫度:235±5℃  浸入時(shí)間(jiān)↓₽≤ : 2.5±0.5S
     浸入速度₹¥✔: 25±6mm/s

耐焊接熱(rè)

外(wài)觀

無可(kě)見(jiàn)的(de)損傷或異常

預熱(rè)溫度:100～120℃
     預熱(rè)時(s♣≤hí)間(jiān):60秒(miǎo)內≤×(nèi)
     溫度上(shàng)升率不≤£©(bù)超過2 ℃/秒(miǎo)
     ♥©§₩焊錫溫度260±5℃, 浸入時(shí)間✔☆∑'(jiān)10±0.5Sec.
     浸錫深度:引線根部起4±§₽πα0.8mm
     試驗後處理(lǐ)α™∏‌:電(diàn)容器(qì)置于标準大(dà)氣∏✔壓條件(jiàn)下(xià)放(fàng)置24±2小(xiǎo→φ↕)時(shí)後再進行(xíng)測量

容量變化(huà)率

±10%    (Y5P)↕×
     ±15%(Y5U )
     ±20≠®∞₩%(Y5V )

耐電(diàn)壓
     （引線之σε間(jiān)）

符合耐電(diàn)壓規定

損耗角正切

≤250×10-4   φ （1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms，20±2℃）

絕緣阻抗

≥5000 MΩ（500V60秒(miǎo)，20±2℃）

 濕熱(rè)試驗

外(wài)觀

無可(kě)見(jiàn)的(de)損傷或異常

溫度:40±2℃
     濕度:90～95≠€‌%
     存放(fàng)時✔™(shí)間(jiān):500+24小(xiǎo)時(shí)。
     試驗後處理(lǐ'α®≥)：電(diàn)容器(qì)置于标準大(dà)氣壓條件(ji×∏≠​àn)下(xià)放(fàng)置1~2小(xiǎo)時(s™αhí)後再進行(xíng)測量

容量變化(huà)率

±10%    (Y5♦∞P)
     ±15%(Y5U )
     ±20%↕ (Y5V )

耐電(diàn)壓
     （引線£ΩΩ之間(jiān)）

符合耐電(diàn)壓規定

損耗角正切

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U）
     ≤7.5×10-4 &n≈​εbsp;  （Y5V）
     （1±0.2KHz，1.0±0.2 V&₽™rms，20±2℃）

絕緣阻抗

≥5000 MΩ（500V60秒(miǎo)，20±2℃）

Item

Performance

Test     Metho‌¶≠d

Solderability

Apperance

Should be no remarkable change

Soldering Temperature: 2•  35±5℃
Immersion Duration: 2.5±0.5S
Immersion Duration: 25±6mm/s

Soldering    Heat Resistan₩÷ce

Apperance

Should    be no reσ§↓±markable change

Preheat Temperature:100～•δ≠120℃
Preheat Duration:60 Sε✘Ωec. max
Temperature Increase by 2℃/$•★≥sec. max
Soldering Temperature:+260±5℃
Immersion   &nbs‍≥εp;Duration: 10±0.5Sec
Immersion depth: 4±0.8m↓¥¶m from the roots
After    test,allow it ✘​stay alone for 24±2 Hours σ
at standard temperat₹ ™∑ure and humidity before    mπ↕ ∏aking measurement

Capacitance    Change Ra↕&te(△C/C)

±10% (Y5P)
±15%(Y5U )
±20%(Y5V )

Withstand    ‍₩Voltage
(Between    Terminals)

Shall    satisfy wit↓α hstand voltage

DissipationFactor

≤250×10-4 (1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms♣♣↓≥，20±2℃）

Insulation    Resistanc<₽σ£e

≥5000 MΩ（500V 60Sec，20±2℃）

Humidity    Heat Re₽σsistance

Apperance

Should    be no €↑remarkable change

Temperature: 40±2℃
Humidity: 90～95%RH
Storage Duration:500+24Hours
After    tes©β​t,allow it stay alone for 1～¶♥≠γ2 Hrs
at standard temperature and humidi✘∞ty before    making measurem₩'ent

Capacitance    Chang$✘e Rate(△C/C)

±10% (Y5P)
±15%(Y5U )
±20%(Y5V )

Withstand    Voltageβ±♦
     (Be$ tween    Terminals¥γ∏)

Shall    sat↓‍isfy withstand voltage

DissipationFactor

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U）
≤7.5×10-4    （Y5V）
(1±0.2KHz,1.0±0.2  ♦σ★;  Vrms，20±2℃）

Insulation    Resistance

≥5000 MΩ（500V 60Sec，20±2℃）

耐久性試驗

先施加三次脈沖如(rú)下(xià):

          &nb♠✔sp;    

外(wài)觀

無可(kě)見(jiàn)的(de)損傷或異常

溫度:85±3℃40±2℃下(xià)施加負載：‌★‍50Hz/60Hz 425 Vrms (Y2) or 6₩λ¶♥80Vrms(Y1)
持續時(shí)間(jiān):1000小(xiǎo)時(shí)
并每小(xiǎo)時(shí)将電(diàn)'>♦↔壓升高(gāo)到(dào)1000VAC，€$持續時(shí)間(jiān)0.1s。。
試驗後處理(lǐ)：
電(diàn)容器(qì)置于标準大(dà)氣壓♣♠↔™條件(jiàn)下(xià)放(fàng)置24±♣↔$2小(xiǎo)時(shí)後再進行(xíng)測量

容量變化(huà)率

±20%

耐電(diàn)壓
（引線之間(jiān)）

符合耐電(diàn)壓規定

損耗角正切

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U §φ ）
≤7.5×10-4    （Y5V）
(1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms，20±2℃）

絕緣阻抗

≥5000 MΩ（500V60秒(miǎo)，20±✔‍¶2℃）

Long Life Testing

Pre-Loading   &nbβ¶sp;3 times to the capacitor by puls±¶$ voltage

          &nγ←©bsp;    

Apperance

Should    bεδe no remarkable change

Temperature:85±3℃40±2℃
Voltage Loading： 425 Vrms (→πY2) or 680Vrms(Y1) 5∞≈£↓0Hz/60Hz
Duration:1000    Hrs A"'C Voltage up to1000V ，
Consistance    ti<∏≠&me:0.1sec
After test,allow it stay alone f σor    24±2Hrs at standar$™d temperature and humidity beforeλ¥> making measurement

Capacitance    Change R₽ε★ate(△C/C)

±20%

Withstand    Voltage
 (Between    Terminals)

Shall    satisfy withstand ₹βvoltage

DissipationFactor

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U）
≤7.5×10-4  &n£₹&≥bsp; （Y5V）
 (1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms，20±2℃）

Insulation Resistance

≥5000 MΩ（500V60sec，20±2℃）