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東莞鼎冠電子科技有限公司成立于1993年(niá¶£σn),位于美(měi)麗(lì)的(de)海(hǎi)濱城(chéng™λ$↔)市(shì)汕頭,現(xiàn)已發展成為(wèi)元器(qì)件(jiφ¥¥àn)制(zhì)造集團企業(yè),生(shēng> φ )産壓敏電(diàn)阻、NTC熱(rè)δ¥←<敏電(diàn)阻、陶瓷電(diàn)容和∏Ω(hé)金(jīn)屬化(huà)薄膜電(diàn)容,通(tōng)過了∑÷(le)ISO9001質量體(tǐ)系認證和(≠©∑λhé)ISO14001環境體(tǐ)系認證,以及IAΩ£TF16949汽車(chē)産品質量體(tǐ)系認證.α$↕..

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簡述壓敏電(diàn)阻特點和(hé)工(gōn₩≤£g)作(zuò)原理(lǐ)
一(yī)、壓敏電(diàn)阻性能(néng)特點:
壓敏電(diàn)阻是(shì)指“在一(yī)定電(diàn)壓範✘> 圍內(nèi),電(diàn)阻值随電(diàn)壓而變的(d♥§δe)電(diàn)阻”,或者是(shì)說(shuō)“電(✘₹♣diàn)阻值對(duì)電(diàn)壓敏感”的(de)♠•電(diàn)阻器(qì)(英文(wén)名稱為(wèi): vaγristor)。
壓敏電(diàn)阻是(shì)半導體(tǐ)元件(jiàn)。當ε∑γ施加在壓敏電(diàn)阻兩端的(de)電(di≈φàn)壓從(cóng)0至U1mA(壓敏電(diàn)壓)時(shí),☆±∞>流經壓敏電(diàn)阻的(de)電(dià∏$™♦n)流≤1mA,壓敏電(diàn)阻阻值較大(dà),我們可(<±"kě)以認為(wèi)在這(zhè)一(yī↓¶™ )段壓敏是(shì)“絕緣體(tǐ)”;當瞬≤§®₩間(jiān)脈沖高(gāo)壓入侵時(shí),脈沖≈<電(diàn)壓峰值超過壓敏電(diàn)壓,壓敏電(dià≤>n)阻阻值迅速變小(xiǎo),動作(z✘"β≠uò)反應時(shí)間(jiān)小(xiǎo)于20*10-9秒(miǎo),壓敏“瞬間(jiān)”變為(©δwèi)“導體(tǐ)”。例如(rú):當壓©₽Ω↔敏兩端脈沖電(diàn)壓峰值是(shì)壓敏電(diàn)壓U1ε≥>mA的(de)2倍時(shí),壓敏的(de)電(diàn)阻值通(tōng∑ →)常小(xiǎo)于1Ω,它完全是(shì)導體(tǐ)了(le)。
壓敏電(diàn)阻作(zuò)用(yòn≤₹g):壓敏電(diàn)阻工(gōng)作(zuò)時(sh∏×↓ í),抑制(zhì)的(de)是(shì)單個(gè)或間(₩>¥jiān)歇的(de)多(duō)個(gè)瞬間(jiān)浪湧電(diàn)壓/電(diàn)流脈沖φ₩。
浪湧持續時(shí)間(jiān):浪湧電(diàn)壓/電(diàn)流持續時(shí)間♥'¶(jiān)是(shì)微(wēi)秒(miǎo)♦ >σ、毫秒(miǎo)級的(de)。如(rú)常見(↓↓≠jiàn)的(de)1.2/50μs(标準電(d± iàn)壓波),8/20μs(電(diàn)流短(duǎn)波),10✔↑/1000μs(電(diàn)流長(cháng)波),2m≥λS(方波)等這(zhè)類瞬間(jiān)脈沖,↓®≥λ對(duì)線路(lù)中元器(qì)件(jiàn)的(de)沖擊猶如(rú)£÷“海(hǎi)浪拍(pāi)岸”,抑制(zhì)減弱這(zhè£ ®)類破壞性浪湧脈沖是(shì)壓敏電(diàn)阻的(de)€→專業(yè)專職。而對(duì)于施加在其兩端的(de)長(cháng)時(shí)間(jiān)的(de)過電(diàn)壓,壓敏電(diàn)阻則“身(shēn)陷<®±Ω險境”弱點顯現(xiàn)。
壓敏電(diàn)阻的(de)弱點:不(bù)能(néng)耐受長(cháng)時(shí)間(jiān)的(de)過電(diàn)壓。對(duì)于出現(xiàn)在AC電(diàn)網裡(lǐ®Ω≤)的(de)故障過電(diàn)壓,如(rú)果AC電(diàn)壓↔♣↔ 的(de)峰值>壓敏電(diàn)壓U1mA,則流≥ε₽過壓敏電(diàn)阻的(de)電(diàn)流>1mA,壓敏電(diàn)✔↑≈ 阻就(jiù)處于導通(tōng)狀态,此εΩ©×時(shí),連續湧入壓敏電(diàn)阻的(de)電(di©™∏àn)流就(jiù)像“決堤的(de)海(hǎi)嘯”(參閱下(xià)圖1)。由于壓敏的(de)功率很(hěn)小(xiǎo),©¶↕數(shù)秒(miǎo)至數(shù)小(xiǎo)時(shí)₹×ε內(nèi)就(jiù)會(huì)出現(xiàn)壓敏電'₩∑∞(diàn)阻冒煙(yān)燃燒、內(nèi)部瓷體(tǐ)×₹穿孔的(de)狀況,這(zhè)個(gè)要(yào)特别注意'↔。

(圖1)
二、壓敏電(diàn)阻工(gōng)作(zuò)原理(lǐ):
對(duì)于壓敏電(diàn)阻工(gōng)作(zuò)原↔£理(lǐ)有(yǒu)各種各樣的(de)×÷πα描述,為(wèi)了(le)方便大(dà)家(jiā)理(lǐ)解,下(xiδ↕₹&à)面從(cóng)“分(fēn)流作(zuò)用(y£§òng)”和(hé)“分(fēn)壓作(zuò)用(y←±σòng)”角度來(lái)簡單闡述一(yī)↕₹下(xià)。
分(fēn)流作(zuò)用(yòng):從(cóng)電(diàn)流角度講,遭遇高(÷λ€gāo)壓脈沖時(shí),壓敏電(diàΩ n)阻阻值瞬間(jiān)變得(de)遠(yuǎn)小(xiǎo)于與之并聯的γσ(de)被保護電(diàn)路(lù)的(de)→✘✘總體(tǐ)阻抗值,脈沖電(diàn)流大×™(dà)部分(fēn)通(tōng)過壓敏電(diàn)阻,流向設備外(wài>≤ )端,壓敏電(diàn)阻起到(dào)分(fēn)流作(zuò)用(yòng),将脈沖大(dà)電(diàn)流的(de)大(dà)部分(fēn)“拒₹ 之門(mén)外(wài)”,保護設備免受瞬間(jiān)大(dà)✘電(diàn)流高(gāo)能(néng¥¶ )量的(de)侵擾。如(rú)下(xià)圖2:

(圖2)
分(fēn)壓作(zuò)用(yòng):從(cóng)電(diàn)壓角度來(lái)₽π$講,由于源阻抗R0的(de)配合分(fēn)擔了(le)部分Ωδσ(fēn)脈沖電(diàn)壓,脈沖電(diàn)壓在壓敏電(diàn)♠← 阻上(shàng)隻剩下(xià)小(x↑≠₽iǎo)部分(fēn)電(diàn)壓——殘餘電(diàn)壓(壓敏的(de)重要(yào)參數(shù))©♣,選用(yòng)合适規格的(de)壓敏電(diàn)阻使殘餘電(di δàn)壓小(xiǎo)于被保護電(dià₹•♣n)路(lù)元器(qì)件(jiàn)的(de)絕緣耐壓,設備就(j§↑iù)不(bù)會(huì)因高(gāo)壓脈沖而損壞了(le)™ '。
高(gāo)壓脈沖瞬間(jiān)消失後,壓敏電(dià♦×n)阻瞬間(jiān)又(yòu)恢複絕緣狀δ ₩♣态,繼續待命。
備注——關于源阻抗R0:
上(shàng)圖2中源阻抗R0定義:在電(diàn)路(lù)上(shàng± )自(zì)産生(shēng)脈沖高(gāoφε★)電(diàn)壓的(de)源頭之處起(可(kě)以把脈沖高(gāo)壓源'↕頭看(kàn)做(zuò)一(yī)個(gè)“電(d"λ→iàn)源”),該“電(diàn)源”與壓敏電(diàn)阻形成ε&的(de)回路(lù)上(shàng),壓敏電(diàn)阻以外•≈(wài)的(de)所有(yǒu)元器(qì)件(jiàn)及導線的(d←¶≤e)阻抗總和(hé)。
R0在電(diàn)路(lù)上(shàng↓✘)起到(dào)了(le)分(fēn)擔脈沖電(diàn)壓、阻礙脈沖電(di≤€àn)流、消耗脈沖能(néng)量的(deδ♦÷)積極作(zuò)用(yòng),有(yǒu)經驗的(de)工(gō≤∏£ng)程師(shī)在電(diàn)路(lù)設計(jì)時(sh↑&í)會(huì)有(yǒu)意增加R0。
對(duì)于測試設備,R0就(jiù)是(shì)設備本身(shēn)的(de)阻抗λφ"。例如(rú):常用(yòng)的(de)♥₩↑6kV/3k組合波設備,阻抗R0就(jiù)是(shì)2歐姆。